日前，beat365体育官方网站单福凯教授课题组在微电子器件领域再次取得重要进展。该组一篇研究论文“High-mobility p-type NiOx thin-film transistors processed at low temperatures with Al2O3 high-k dielectric”在光电材料领域著名刊物《Journal of Materials Chemistry C》上发表，影响因子为5.066。论文链接http://dx.doi.org/10.1039/C6TC02137A。该论文巧妙地利用超薄高介电常数材料代替传统SiO2介电层，实现了高迁移率p型NiO薄膜晶体管(thin-film transistor, TFT)。器件空穴迁移率达到25 cm2/Vs，该迁移率为世界之最。该工作克服了目前p型TFT器件由于过低空穴迁移率而不能应用的瓶颈，提出了实现高空穴迁移率TFT的新途径。对低能耗、高性能CMOS器件的研发具有重要的意义。
该研究工作得到了国家自然科学基金面上项目的支持【溶液法制备超薄高k介电层和InMZnO体系透明薄膜晶体管的关键问题研究；全水溶液工艺的高k介电薄膜的低温制备及TFT器件的集成；高性能P沟道氧化物薄膜晶体管的制备及器件集成】。
