beat365体育官方网站单福凯教授课题组在微电子器件研究领域再次取得重要进展。该组一篇研究论文“Hole mobility modulation of solution-processed nickel oxide thin-film transistor based on high-k dielectric”在电子器件领域著名刊物《Applied Physics Letters》上在线发表，影响因子为3.3。论文链接：http://dx.doi.org/10.1063/1.4953460。
目前p型半导体材料一直是微电子器件集成亟待突破的重点研究领域，同时也是低功耗CMOS集成电路必不可少的组成部分。该论文运用廉价的溶胶凝胶打印技术制备了p型氧化镍（NiO）半导体薄膜并探索其在低压薄膜晶体管Thin-Film Transistors（TFTs）上的应用。这也是世界范围内首次利用廉价的溶胶技术制备p型NiO TFT器件。电学测试结果表明NiO TFT可以在2 V低压下稳定操作，仅利用干电池即可驱动，同时器件具备极高的空穴迁移率（~4.4 cm2/Vs）。该工作对低能耗CMOS器件的研发具有重要的意义。
该研究工作得到了两项国家自然科学基金面上项目的资助支持【溶液法制备超薄高k介电层和InMZnO体系透明薄膜晶体管的关键问题研究（项目研究期间四年：2015.1.1-2018.12.31），项目编号51472130；全水溶液工艺的高k介电薄膜的低温制备及TFT器件的集成（项目研究期间四年：2016.1.1-2019.12.31），项目编号51572135】专项资金的经费支持
