近日，beat365体育官方网站单福凯教授课题组在微电子器件研究领域取得重要进展，研究成果在微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters上发表，论文链接https://ieeexplore.ieee.org/document/9279329。
一维金属氧化物纳米纤维由于其独特的优势，在场效应晶体管集成方面具有广阔的应用前景。静电纺丝工艺由于其大规模制备和较低的成本，被认为是最具优势的纤维制备工艺。然而，静电纺丝制备的纳米纤维之间，以及纤维与衬底之间由于简单松散的堆叠，这会严重阻碍载流子的传导，从而导致纳米纤维电学器件稳定性差，迁移率低。
为提高纳米纤维场效应晶体管的器件性能，该课题组提出一种新的焊接工艺，引入聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的共混聚合物，利用两种聚合物受热时形变能力的不同，通过调节聚合物的比例，得到了焊接形态良好的SnGaO纳米纤维网络。此外，通过精确控制Ga的含量，得到了高稳定性、高开关比的SnGaO纳米纤维场效应晶体管器件。该工作为构建高性能、高稳定性的一维纳米纤维电子器件提供了一种良好的工艺，有利于促进低成本、高性能电子器件的发展。
该论文通信作者为单福凯教授。第一作者为硕士研究生傅传玉，现在青岛芯恩集成电路有限公司工作。该研究工作得到了国家自然科学基金委（No.51872149, No.51672142）专项资金的经费支持。
