范双青，男，1989年10月出生，河北保定人，博士研究生，beat365微电子系副教授。2013年6月毕业于河北大学化学与环境科学学院，获理学学士学位； 2014年9月至2016年6月在天津大学理学院化学系研究生基础课学习；2016年9月至2019年6月在天津大学精仪学院硕博连读，获得工学博士学位；博士毕业后进入青岛大学工作。
主要研究方向：二维半导体材料及器件的物理性质调控方法研究。迄今在Nanoscale、ACS Applied Materials & Interfaces和Journal of Materials Chemistry C等学术期刊发表SCI论文十余篇，其中第一作者发表SCI一区论文5篇，申请国家发明专利四项。
学习经历
2009.09-2013.07 河北大学化学与环境科学学院化学专业，本科
2014.09-2016.07 天津大学理学院化学系有机化学专业，硕士，导师：马军安
2016.09-2019.12 天津大学精仪学院仪器科学与技术专业，博士，导师：刘晶
工作经历
2014.02-2014.08 天津赛特瑞科技有限公司，研究助理
2018.03-2018.08 北京创世维纳科技有限公司，工艺工程师
2019.07-2020.02 beat365微电子系，讲师
2020.02至今 beat365微电子系，副教授
目前主要研究方向：
1.二维半导体材料及其器件物理性质调控方法研究
2.基于二维纳米材料的光电探测器、反相器、整流器、p-n结等电子器件方面的研究
代表性论文和专著：
（1）Fan, Shuangqing, et al. “Highly selective carrier-type modulation of tungsten selenide transistors using iodine vapor.” Journal of Materials Chemistry C, 2020, 8(13): 4365–4371.
（2）Fan, Shuangqing, et al. "Wet Chemical Method for Black Phosphorus Thinning and Passivation." ACS applied materials & interfaces 11.9 (2019): 9213-9222.
（3）Fan, Shuangqing, et al. "Solution-Based Property Tuning of Black Phosphorus." ACS applied materials & interfaces 10.46 (2018): 39890-39897.
（4）Fan, Shuangqing, et al. "Implementing Lateral MoSe2 P–N Homojunction by Efficient Carrier-Type Modulation." ACS applied materials & interfaces 10.31 (2018): 26533-26538.
（5）Fan Shuangqing, et al. "Ambipolar and n/p-type conduction enhancement of two-dimensional materials by surface charge transfer doping." Nanoscale (2019). DOI:10.1039/C9NR05343C.
主要科研项目：
参与国家自然科学基金（No. 21405109, 21708048）
参与精密测量技术与仪器国家重点实验室种子基金（Pilt No. 1710）
