电子信息（微纳技术）学院邀请
郑州大学刘俊杰教授作高端学术报告
5月10日上午，郑州大学首席教授刘俊杰做客电子信息（微纳技术）学院巴丁论坛，在诚思楼211会议室作了题为《Semiconductor Industry: Current Status, Future Trend, and Technology Development Strategy (集成电路的现况，前景，以及技术发展战略思考) 》高端学术报告。报告会由副院长单福凯主持，学院党政领导、专任教师、研究生以及本科生代表参加了报告会。
党委书记苗洪丽代表学院师生向刘教授的到访表示欢迎和感谢，认为集成电路是信息技术产业的核心，希望全体师生与刘俊杰教授团队加强学习交流，不断提高专业能力和水平。
刘俊杰介绍了集成电路相关的背景知识和发展现状，提出芯片可靠性的问题将成为当前中国集成电路产业发展的瓶颈，并指出静电放电（ESD）是电子元器件可靠性的主要威胁之一，超过35%的芯片损坏都可以归因于ESD事件。随后刘俊杰介绍了在Si CMOS、Si BiCMOS、GaAs、GaN和新兴技术中，集成电路ESD保护解决方案的设计、实现和优化。其预测ESD保护解决方案将成为现代和未来的电子商业化的一个关键要素。并对中国集成电路的发展提出了自己的见解。在提问环节，刘俊杰与师生现场互动交流，并结合自身经历介绍出国留学和集成电路研究的经验。
刘俊杰，1987年获得美国佛罗里达大学电子工程专业博士学位，是IEEE Fellow，IEEE EDS副主席，IEEE EDS财政委员会的主席，郑州大学首席教授，国家专家，教育部长江讲座教授，教育部海外名师。刘俊杰长期致力于静电防护（EDS）设计与仿真、半导体器件建模和RF器件的模型与仿真等领域的研究，是国际上ESD领域的权威之一。在国际著名刊物上发表期刊论文290多篇，会议论文240多篇，出版专著和教科书13部，获得专利18项。其作为第一作者发表在电子领域最权威的期刊Proceedings of the IEEE上的20页论文“ESD in Semiconductor Devices: An Overview”和23页论文“ESD in Semiconductor Devices: Protection Techniques”被IEEE评为目前ESD领域经典的评述论文。
