曾伟雄，博士，1971年生，台湾国立大学材料科学与工程学博士。
主要经历：
2000年8月-2002年4月 台湾积体电路制造股份有限公司 主任工程师
2002年4月-2007年7月 台湾积体电路制造股份有限公司 技术经理
2007年7月-2010年7月 欧洲微电子研究中心 技术经理
2012年6月-2017年5月 韩国三星电子半导体研发中心 首席工程师
2017年7月-2018年5月 中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司 技术总监
2018年9月-至今 芯恩（青岛）集成电路有限公司 院士
近五年来从事科研工作的主要成果：
1.January24, 2017, Semiconductor device and method for fabricating the same
2.March15, 2016, Semiconductor device and method for fabricating the same
3.6 May 2011, Study of nitrogen impact on VFB-EOT roll-off by varying interfacial SiO2 thickness, Solid-State Electronics
4.2011 ON THE ORIGIN OF THE MOBILITY REDUCTION IN BULK-SI, UTBOX-FDSOI AND SIGE DEVICES WITH ULTRATHIN-EOT DIELECTRICS, IEEE
5.November 9, 2010, High-K dielectric metal gate device structure
6.2010, A Low Operating Power FinFET Transistor Module Featuring Scaled Gate Stack and Strain Engineering for 32/28nm SoC Technology, IEEE
7.2010, Implant-Free SiGe Quantum Well pFET: A novel, highly scalable and low thermal budget device, featuring raised source/drain and high-mobility channel, IEEE
8.2010, High-Mobility 0.85nm-EOT Si0.45Ge0.55-pFETs: Delivering high performance at scaled VDD IEEE
9.2010, 6Å EOT Si0.45Ge0.55 pMOSFET with Optimized Reliability (VDD=1V): Meeting the NBTI Lifetime Target at Ultra-Thin EOT, IEEE
10.Dec1, 2009, High-k dielectric metal gate device structure and method for forming the same
